《半导体技术》投稿指南
一、征稿范围
半导体新材料的研发,半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等)和技术,集成电路设计与应用,先进半导体制造技术和封装技术,可靠性(功率器件可靠性、ESD技术等),检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。主要栏目:趋势与展望,半导体材料与器件,半导体制备技术,集成电路设计与应用,封装、检测与设备。
为使您的文章符合标准化出版要求,并得到更加及时的处理,请您务必按照论文写作模板和样例(详情请见编辑部官网下载中心)投稿,阅读并了解本刊对于投稿的一些要求。
二、投稿方式
请登录《半导体技术》网站(http://www.bdtj.cbpt.cnki.net)进入“作者投稿系统”在线投稿,稿件处理状态可在网上查询。如有问题请联系编辑部邮箱bdtj1339@vip.163.com,或致电编辑部电话0311-87091339,进行咨询。
三、投稿要求
1. 投稿前须准备好全部作者签字、单位盖章的版权转让协议和论文审查证明,在投稿系统中上传电子扫描版。投稿作者必须遵守学术规范和准则,勿一稿多投,杜绝泄密、抄袭、剽窃等行为。
2. 来稿应论点明确、数据可靠、条理清晰、文字精炼,论文撰写符合国家出版标准和规范。
3. 英文稿件要求语法规范、用词准确、表述无误。
4. 来稿请附第一作者及通信作者的联系方式,包括通信地址及邮编、固定及移动电话、E-mail,以便及时与作者联系。
5. 在稿件的最后一页需附上作者简介、第一作者近期1寸免冠证件照片(JPG格式)。若第一作者为在校学生,还需提供导师的个人简介(作者简介总数不超过3个),并确认导师是否同意投稿,且文中所有内容(例如:数据)已经核实准确无误。
四、书写格式
·题目要求不超过20字。
·署名作者及所在单位:提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码。
·中英文摘要:摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论,中文250字左右。
·关键词:中英文5~8个。
·中图书分类号:采用中国图书分类法(第五版)进行分类,国际图书分类号采用EEACC分类。
·基金项目:在首页页脚标注项目名称和批准号。
·缩略词和物理量:正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角,第一次出现该符号时需给出其含义。
·图、表和公式:按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置,在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a)(b)(c)等标识并给出中文分图题,插图最好用矢量图格式。表格应简明,宜用三线表。图题和表题要求中英文对照。图和表里的文字用中文。照片须清晰,像素不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致,不要出现正文中没有提及或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号,需用Mathtype公式编辑器编辑。
·参考文献:按在正文中出现的顺序编号,用方括号标于引文处右上角,并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料,应符合各类文献著录规则,著录项目齐全。
期刊的格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写),发表年份,卷(期):起止页码.
书籍的格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地:出版社,出版年份:参考起止页码.
会议论文集格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市,国别,年份:起止页码.
·作者简介(含导师简介):姓名(出生年—),性别,籍贯(出生地,如:河北石家庄人),学历,职称,从事专业或研究方向。
五、审稿流程
收到稿件后,编辑部将通过“科技期刊学术不端文献检测系统”、网络搜索文献对比和编辑部综合审查等对稿件进行初审(3~5个工作日),无论初审通过与否,编辑部都会尽快告知。初审通过后的稿件将送至相关领域专家进行“双盲审稿”,编辑部于40天左右将评审意见发给作者。作者应将修改后的文稿及时(1周左右)返回编辑部,审阅通过后将进行编辑加工和印刷出版。
六、审稿费、版面费、稿酬、样刊
遵照中国科协有关文件精神,凡向本刊投稿者须交纳论文审理费,凡在本刊发表论文者须交纳版面费。具体事项E-mail通知。论文刊出后,将向作者酌付稿酬,寄送样刊。
七、声明
作者向《半导体技术》投稿,意味着在稿件被录用后作者同意把该文的版权(含光盘、网络等各种介质)转让给《半导体技术》编辑部。所有录用稿件一经发表即按国家标准付酬(本刊已被“中国期刊网”、中国学术期刊(光盘版)、“万方数据-数字化期刊群”、“中文科技期刊数据库”等收录,所付稿酬包括所有收录媒体的著作权使用费,所有署名作者向期刊提交文章发表的行为即视为同意我社上述声明)。